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　　硅片是由高純度晶體硅制成的晶圓，一般用作集成電路和芯片設備的載體。與其他材料相比，晶體硅具有非常穩(wěn)定的分子結構，自由電子非常少，因此具有非常低的導電性。硅基芯片材料資源豐富，容易獲得，應用廣泛，涵蓋了所有芯片產品的90%以上。硅是除了氧元素之外第二豐富的元素，并以各種形式在沙子、巖石和礦物中大量存在，這使得它比其他芯片材料更容易獲得。

　　硅片清洗作為制作芯片制造的基石，非常重要，其清洗的效果直接影響到光伏電池和集成電路的性能、效率和穩(wěn)定性。清洗硅片不僅要除去硅片表面的雜質而且要使硅片表面鈍化，從而減小硅片表面的吸附能力。高規(guī)格的硅晶片對表面的潔凈度要求非常嚴格，理論上不允許存在任何顆粒、金屬離子、有機粘附、水汽、氧化層，而且硅片表面要求具有原子級的平整度，硅片邊緣的懸掛鍵以結氫終止。目前，由于硅片清洗技術的缺陷，大規(guī)模集成電路中因為硅材的潔凈度不夠而產生問題甚至失效的比例達到50%，針對這一問題，可以使用超純水進行清洗。

　　超純水是為了研制超純材料(芯片原件材料、納米精細陶瓷材料等)應用蒸餾、去離子化、反滲透技術或其它適當的超臨界精細技術生產出來的水，其電阻率大于18 MΩ*cm，或接近18.3 MΩ*cm極限值(25℃)。簡單的說就是幾乎去除氧和氫以外所有原子的水。

　　傳統的超純水制取工藝是采用陰陽樹脂交換設備，該工藝的缺點在于樹脂在使用一段時間以后要經常再生。隨著膜分離技術的不斷成熟，萊特萊德超純水設備采用反滲透工藝，或是采用反滲透后面再經過EDI及拋光混床工藝來制取超純水，出水電導率可達18.2MΩ，滿足了芯片行業(yè)的用水需求。與此同時，超純水設備廢水產出量少，不會對環(huán)境造成污染，有非常高的環(huán)境效益、經濟效益。

　　隨著光伏電池和芯片科技的發(fā)展，對于硅片表面潔凈度的要求越來越高，達到了微米級甚至納米級的要求，這對目前的硅片表面清洗技術無疑是一項巨大的挑戰(zhàn)，而超純水設備的出水水質具有純度高、無病毒和細菌、不含任何懸浮物、無化學污染等優(yōu)勢，可以達到相關衛(wèi)生標準，有效實現硅片表面潔凈度的嚴格要求。