晶圓級(jí)芯片尺寸封裝 (WLCSP) 因其成本性能比和無(wú)襯底封裝而具吸引力，但卻受到芯片尺寸的限制。另一種替代方案，扇出型晶圓級(jí)封裝 (FOWLP) 技術(shù)正在研發(fā)和應(yīng)用，因?yàn)樗试S通過(guò)“扇出”與外部襯墊互連來(lái)增加 I/O 密度。終使其具有更小的外形尺寸和更低的功耗。異構(gòu)集成的半導(dǎo)體封裝技術(shù)，如系統(tǒng)級(jí)封裝 (SIP) 和堆疊封裝 (PoP) 基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，由于日益復(fù)雜的集成而面臨著重大挑戰(zhàn)。

晶圓級(jí)封裝挑戰(zhàn)

對(duì)于許多此類(lèi)技術(shù)來(lái)說(shuō)，薄化器件的襯底處理是制造流程中的一個(gè)主要挑戰(zhàn)。硅晶片薄化至 <50 微米 (µm)，或使用一個(gè) RDL-first流程創(chuàng)建的重分布層 (RDL) 需非常小心且制造成本很昂貴。處理過(guò)程要求使用通過(guò)臨時(shí)鍵合和解鍵合 (TBDB) 技術(shù)處理支撐襯底，以方便構(gòu)建復(fù)雜的封裝基礎(chǔ)機(jī)構(gòu)。

使用熱塑性聚合物制造的臨時(shí)鍵合材料通常用于 TB/DB 工藝。當(dāng)與載體襯底一起使用時(shí)，它們能夠提供熱機(jī)械穩(wěn)定性，并使薄型器件襯底更易于處理。然而，在更高的溫度下，這些材料表現(xiàn)得更像液體，隨著熔體粘度的降低，機(jī)械穩(wěn)定性也逐漸消失，材料軟化，從而降低了鍵合層的穩(wěn)定性。器件晶圓可能發(fā)生變形和分層，導(dǎo)致下游工藝出現(xiàn)問(wèn)題。

芯片封裝氣泡問(wèn)題

ELT科技研發(fā)的高溫真空壓力除泡烤箱，利用技術(shù)采用真空+壓力+高溫烘烤的方法將內(nèi)部氣體抽至表面. 之后再施以壓力及加熱烘烤，已達(dá)到去除氣泡的目的。效果一目了然。目前眾多臺(tái)資PCB廠都在使用ELT科技的除氣泡設(shè)備，我們?yōu)槟峁?zhuān)門(mén)的定制解決方案，讓您提高產(chǎn)品良品率，降低消耗。

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